一种多功能半导体电学性质快速测试装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710127335.3

申请日：

2017-02-25

公开(公告)号：

CN106908683A

公开(公告)日：

2017-06-30

发明(设计)人：

白一甲马文路王东王宏涛黄春明王惠芬

申请人：

申请人地址：

010051 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号

IPC主分类号：

G01R3101

IPC分类号：

G01R3126 G01R104

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-30	公开	公开
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 31/01 申请公布日:20170630
2017-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736969607 IPC(主分类):G01R 31/01 专利申请号:2017101273353 申请日:20170225

共 50 条

[1]

一种多功能半导体电学性质快速测试装置 [P].

张伟 ;

张树霞 .

中国专利 :CN206594265U ,2017-10-27

[2]

一种多功能半导体电学性质快速测试装置 [P].

张伟 ;

张树霞 .

中国专利 :CN106841971A ,2017-06-13

[3]

半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置 [P].

陶国桥 .

中国专利 :CN120142880B ,2025-12-26

[4]

半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置 [P].

陶国桥 .

中国专利 :CN120142880A ,2025-06-13

[5]

一种半导体电学性能测试装置 [P].

朱明兰 ;

左万胜 ;

胡新星 ;

仇成功 ;

赵海明 ;

钮应喜 ;

袁松 ;

王丽多 .

中国专利 :CN215728597U ,2022-02-01

[6]

半导体功能测试装置 [P].

辛军启 .

中国专利 :CN205670185U ,2016-11-02

[7]

一种半导体测试装置 [P].

王双 ;

王毅 .

中国专利 :CN109828195A ,2019-05-31

[8]

半导体测试装置及半导体测试方法 [P].

高木保志 ;

山下钦也 ;

上野和起 .

中国专利 :CN114509646A ,2022-05-17

[9]

一种低温交/直流电学性质测试装置 [P].

白一甲 ;

赵文东 ;

于朋飞 ;

冯聪聪 ;

程啟祥 ;

孟利艳 .

中国专利 :CN110346615A ,2019-10-18

[10]

一种多功能离子导体电学性能测试装置 [P].

王建新 ;

王蔚国 ;

王丽琴 ;

陶有堃 ;

邵静 ;

何长荣 ;

牛金奇 .

中国专利 :CN101498755B ,2009-08-05

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