一种多功能半导体电学性质快速测试装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720385657.3

申请日：

2017-04-13

公开(公告)号：

CN206594265U

公开(公告)日：

2017-10-27

发明(设计)人：

张伟张树霞

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市慈湖高新区天门大道1688号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R104

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-27	授权	授权
2019-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20170413 授权公告日:20171027 终止日期:20180413

共 50 条

[1]

一种多功能半导体电学性质快速测试装置 [P].

张伟 ;

张树霞 .

中国专利 :CN106841971A ,2017-06-13

[2]

一种多功能半导体电学性质快速测试装置及方法 [P].

白一甲 ;

马文路 ;

王东 ;

王宏涛 ;

黄春明 ;

王惠芬 .

中国专利 :CN106908683A ,2017-06-30

[3]

一种半导体电学性能测试装置 [P].

朱明兰 ;

左万胜 ;

胡新星 ;

仇成功 ;

赵海明 ;

钮应喜 ;

袁松 ;

王丽多 .

中国专利 :CN215728597U ,2022-02-01

[4]

半导体功能测试装置 [P].

辛军启 .

中国专利 :CN205670185U ,2016-11-02

[5]

半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置 [P].

陶国桥 .

中国专利 :CN120142880B ,2025-12-26

[6]

半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置 [P].

陶国桥 .

中国专利 :CN120142880A ,2025-06-13

[7]

一种用于半导体测试装置的刀片针机构及半导体测试装置 [P].

唐仁伟 ;

孙成扬 ;

丁骥 ;

吴勇红 .

中国专利 :CN222354018U ,2025-01-14

[8]

一种用于半导体测试装置的刀片针机构及半导体测试装置 [P].

唐仁伟 ;

孙成扬 ;

丁骥 ;

吴勇红 .

中国专利 :CN222354017U ,2025-01-14

[9]

一种多功能离子导体电学性能测试装置 [P].

王建新 ;

王蔚国 ;

王丽琴 ;

陶有堃 ;

邵静 ;

何长荣 ;

牛金奇 .

中国专利 :CN101498755B ,2009-08-05

[10]

半导体测试装置 [P].

何欢欢 ;

王波 ;

朱凯 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN212301756U ,2021-01-05

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