光半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03120129.6

申请日：

2003-03-07

公开(公告)号：

CN1286227C

公开(公告)日：

2003-09-24

发明(设计)人：

原君男川崎和重

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5028

IPC分类号：

H01L2715 H01L3300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘宗杰;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-09-24	公开	公开
2006-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

小林隆二 ;

小林正英 .

中国专利 :CN105896310A ,2016-08-24

[2]

半导体器件 [P].

油井隆 .

中国专利 :CN1835220A ,2006-09-20

[3]

半导体器件 [P].

大隅贵寿 ;

阪下靖之 .

中国专利 :CN1828882A ,2006-09-06

[4]

光半导体器件 [P].

秋山知之 .

中国专利 :CN104170189B ,2014-11-26

[5]

半导体光器件 [P].

渊田步 ;

境野刚 ;

上辻哲也 ;

中村直干 .

中国专利 :CN111052520B ,2020-04-21

[6]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[7]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

阿江敬 ;

北村昌太郎 ;

奥田哲朗 ;

加藤豪 ;

渡边功 .

中国专利 :CN104466677A ,2015-03-25

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫坂文人 .

中国专利 :CN105186284A ,2015-12-23

[9]

光半导体器件及光半导体器件的制造方法 [P].

下川一生 ;

浮田康成 .

中国专利 :CN101165929A ,2008-04-23

[10]

半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法 [P].

村山雅洋 .

中国专利 :CN109923743B ,2019-06-21

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