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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910609645.8
申请日：
2019-07-08
公开(公告)号：
CN112201614A
公开(公告)日：
2021-01-08
发明(设计)人：
王楠
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L21336
H01L23538
H01L2906
H01L2978
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-01-08 | 公开 | 公开 |
| 2021-01-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190708 |