等离子体分光分析方法及等离子体分光分析装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710599681.1

申请日：

2017-07-21

公开(公告)号：

CN107643279A

公开(公告)日：

2018-01-30

发明(设计)人：

高须刚

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

G01N2166

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

高培培;车文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	公开	公开
2020-02-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N 21/66 申请公布日:20180130

共 50 条

[1]

等离子体分光分析方法和等离子体分光分析装置 [P].

白木裕章 ;

冈井均 .

中国专利 :CN105784675A ,2016-07-20

[2]

等离子体分光分析方法 [P].

桐山健太郎 .

中国专利 :CN109211877B ,2019-01-15

[3]

等离子体分光分析方法 [P].

本间紘次郎 ;

桐山健太郎 ;

山田泰史 .

中国专利 :CN109211878B ,2019-01-15

[4]

等离子体分光分析装置用样本容器 [P].

笠井督夫 .

中国专利 :CN304941595S ,2018-12-11

[5]

等离子体分析装置、等离子体分析方法以及衬底处理设备 [P].

曺贤哲 ;

林佲俊 ;

金光燮 .

韩国专利 :CN120594508A ,2025-09-05

[6]

等离子体光谱分析方法 [P].

高须刚 ;

本间纮次郎 .

中国专利 :CN110412016A ,2019-11-05

[7]

等离子体光谱分析方法 [P].

高须刚 ;

本间纮次郎 .

日本专利 :CN110412016B ,2024-03-08

[8]

等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法 [P].

小林義之 .

中国专利 :CN109023215A ,2018-12-18

[9]

感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置 [P].

松泽修 ;

赤松宪一 ;

中野信男 ;

一宫丰 ;

田边英规 ;

夏井克己 .

中国专利 :CN103515184A ,2014-01-15

[10]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

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