蚀刻方法和蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810964660.X

申请日：

2018-08-23

公开(公告)号：

CN109427575A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

清水祐介北村彰规高桥正彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L2167 H01J3732

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20180823
2019-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

西塚哲也 .

中国专利 :CN100565816C ,2008-11-19

[2]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

须田隆太郎 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN113053745B ,2025-07-25

[3]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

须田隆太郎 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN113053745A ,2021-06-29

[4]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

前川薫 ;

大野久美子 ;

佐藤渚 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

日本专利 :CN113966546B ,2025-08-08

[5]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

神户乔史 .

中国专利 :CN108987285A ,2018-12-11

[6]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

前川薫 ;

大野久美子 ;

佐藤渚 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN113966546A ,2022-01-21

[7]

蚀刻装置和蚀刻方法 [P].

永海幸一 ;

永关一也 .

日本专利 :CN110416116B ,2024-03-29

[8]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

阿部拓也 ;

三好秀典 ;

清水昭贵 ;

长仓幸一 .

中国专利 :CN110783188A ,2020-02-11

[9]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

桥本笃明 ;

隣嘉津彦 ;

小野洋平 ;

堤贤吾 ;

井上宽扬 .

日本专利 :CN116137226B ,2025-11-11

[10]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

熊仓翔 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN112133629A ,2020-12-25

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