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蚀刻方法和蚀刻装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211414042.0
申请日：
2022-11-11
公开(公告)号：
CN116137226B
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
桥本笃明 隣嘉津彦 小野洋平 堤贤吾 井上宽扬
申请人：
株式会社爱发科
申请人地址：
日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地
IPC主分类号：
H01L21/311
IPC分类号：
H01L21/67
代理机构：
上海方唯思知识产权代理有限公司 31532
代理人：
丁国芳
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-11 授权 授权
共 50 条
[1]
蚀刻方法和蚀刻处理装置 [P]. 
中川显 ;
渡边匠 ;
田边明良 ;
松尾瑞稀 ;
岩佐琥伟 .
中国专利 :CN115148593A ,2022-10-04
[2]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
须田隆太郎 ;
户村幕树 .
日本专利 :CN113053745B ,2025-07-25
[3]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
须田隆太郎 ;
户村幕树 .
中国专利 :CN113053745A ,2021-06-29
[4]
蚀刻方法及蚀刻装置 [P]. 
户田聪 ;
菊岛悟 ;
中込健 ;
小泽淑惠 ;
林军 .
中国专利 :CN110581067A ,2019-12-17
[5]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
田原慈 ;
雅各·法盖 ;
前川薫 ;
大野久美子 ;
佐藤渚 ;
雷米·杜萨特 ;
托马斯·蒂洛彻 ;
菲利普·勒福舍 ;
盖尔·安托万 .
日本专利 :CN113966546B ,2025-08-08
[6]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
神户乔史 .
中国专利 :CN108987285A ,2018-12-11
[7]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
西塚哲也 .
中国专利 :CN100565816C ,2008-11-19
[8]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
田原慈 ;
雅各·法盖 ;
前川薫 ;
大野久美子 ;
佐藤渚 ;
雷米·杜萨特 ;
托马斯·蒂洛彻 ;
菲利普·勒福舍 ;
盖尔·安托万 .
中国专利 :CN113966546A ,2022-01-21
[9]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
清水祐介 ;
北村彰规 ;
高桥正彦 .
中国专利 :CN109427575A ,2019-03-05
[10]
蚀刻装置和蚀刻方法 [P]. 
永海幸一 ;
永关一也 .
日本专利 :CN110416116B ,2024-03-29
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