双镶嵌结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810117726.8

申请日：

2008-08-04

公开(公告)号：

CN101645414B

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

王新鹏沈满华孙武尹晓明

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	授权	授权
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000898905 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008101177268 申请日:20080804
2010-02-10	公开	公开
2019-07-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20080804 授权公告日:20110504 终止日期:20180804

共 50 条

[1]

双镶嵌结构形成方法 [P].

蔡明 ;

刘明源 .

中国专利 :CN101393887B ,2009-03-25

[2]

双镶嵌结构的制造方法 [P].

马莹 ;

车永强 ;

郭伟凯 .

中国专利 :CN102054753B ,2011-05-11

[3]

用于形成双镶嵌互连结构的方法 [P].

许健 ;

肖亮 ;

董金文 ;

严孟 ;

肖莉红 .

中国专利 :CN109804463A ,2019-05-24

[4]

用来制作双波纹结构的光掩模及其形成方法 [P].

S·S·麦唐纳 .

中国专利 :CN101505974A ,2009-08-12

[5]

图案形成方法 [P].

梅泽朋一 .

中国专利 :CN103124928A ,2013-05-29

[6]

图案形成方法 [P].

山中司 ;

川本崇司 .

中国专利 :CN110673447A ,2020-01-10

[7]

图案形成方法 [P].

伊藤信一 ;

高桥理一郎 .

中国专利 :CN1452215A ,2003-10-29

[8]

栅极形成方法 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

张文广 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101459067B ,2009-06-17

[9]

图案形成方法 [P].

小林直贵 ;

岩森颂平 ;

郡大佑 ;

石绵健汰 .

日本专利 :CN118507340A ,2024-08-16

[10]

图案形成方法 [P].

荻原勤 ;

矢野俊治 ;

前田和规 ;

三井亮 ;

永田岳志 .

中国专利 :CN110895380A ,2020-03-20

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