半导体晶片的清洗方法以及清洗装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980104414.6

申请日：

2009-02-05

公开(公告)号：

CN101939826B

公开(公告)日：

2011-01-05

发明(设计)人：

高桥正好千叶金夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	公开	公开
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/304 登记生效日:20191225 变更事项:专利权人变更前权利人:高桥正好变更后权利人:维纳福斯株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本茨城县
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056290650 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2009801044146 申请日:20090205
2012-08-22	授权	授权
2015-05-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715120325 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL2009801044146 变更事项:专利权人变更前权利人:独立行政法人产业技术综合研究所变更后权利人:高桥正好变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本茨城县变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社REO研究所变更后权利人:无登记生效日:20150422

共 50 条

[1]

半导体晶片的清洗装置以及半导体晶片的清洗方法 [P].

野田魁人 ;

大久保知洋 ;

中尾勇贵 ;

富田迪彦 .

中国专利 :CN114902379A ,2022-08-12

[2]

半导体晶片用干冰清洗装置及半导体晶片的清洗方法 [P].

矢野良树 ;

渕上庆太 .

日本专利 :CN118056266A ,2024-05-17

[3]

半导体晶片的清洗方法和清洗装置 [P].

荒木巧 ;

四方吉和 ;

羽室孝 .

中国专利 :CN1577760A ,2005-02-09

[4]

半导体晶片清洗系统以及清洗方法 [P].

蒂姆·W·赫布斯特 ;

托德·马切伊 ;

特蕾西·A·加斯特 ;

托马斯·J·瓦格纳 ;

凯文·L·西费林 .

中国专利 :CN1602229A ,2005-03-30

[5]

半导体晶片清洗装置 [P].

韩石彬 .

中国专利 :CN1156901A ,1997-08-13

[6]

半导体晶片清洗装置 [P].

马祖光 ;

郭光辉 .

中国专利 :CN208923038U ,2019-05-31

[7]

半导体晶片的清洗方法 [P].

山中百华 .

日本专利 :CN121219818A ,2025-12-26

[8]

半导体晶片清洗装置 [P].

陈海 ;

顾正龙 .

中国专利 :CN210722959U ,2020-06-09

[9]

半导体晶片清洗装置 [P].

韩石彬 .

中国专利 :CN1083153C ,1997-08-13

[10]

半导体晶片清洗装置 [P].

韩石彬 .

中国专利 :CN1118865C ,1997-11-05

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