半导体模块及半导体模块的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780025461.2

申请日：

2007-09-13

公开(公告)号：

CN101484990B

公开(公告)日：

2009-07-15

发明(设计)人：

北畠真

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-15	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-20	授权	授权
2021-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20070913 授权公告日:20110720 终止日期:20200913

共 50 条

[1]

半导体模块及半导体模块的制造方法 [P].

唐沢达也 .

中国专利 :CN107818955A ,2018-03-20

[2]

半导体模块及半导体模块的制造方法 [P].

白尾明稔 .

中国专利 :CN114566469A ,2022-05-31

[3]

半导体模块及半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 ;

金井直之 ;

日向裕一朗 .

日本专利 :CN119965184A ,2025-05-09

[4]

半导体装置、半导体模块及半导体模块的制造方法 [P].

南尚吾 ;

井口知洋 ;

佐藤克哉 ;

松尾圭一郎 .

日本专利 :CN118841375A ,2024-10-25

[5]

半导体模块系统、半导体模块及制造半导体模块的方法 [P].

奥拉夫·基尔施 ;

蒂洛·斯托尔泽 .

中国专利 :CN102810531B ,2012-12-05

[6]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

传田俊男 .

日本专利 :CN119833479A ,2025-04-15

[7]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 .

中国专利 :CN115527953A ,2022-12-27

[8]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

竹内优辅太 ;

高桥良彰 .

日本专利 :CN118805245A ,2024-10-18

[9]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

中村瑶子 ;

岩谷昭彦 ;

齐藤麻衣 ;

渡壁翼 .

日本专利 :CN119096365A ,2024-12-06

[10]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 ;

池田良成 ;

西泽龙男 ;

堀元人 ;

望月英司 .

中国专利 :CN113224015A ,2021-08-06

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