具有电容器的半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710004743.6

申请日：

2007-01-30

公开(公告)号：

CN101236921A

公开(公告)日：

2008-08-06

发明(设计)人：

刘建宏魏鸿基

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	公开	公开
2008-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

洪炳涉 .

中国专利 :CN1384539A ,2002-12-11

[2]

半导体元件制造方法及电容器的制造方法 [P].

姚亮吉 ;

杨铭和 ;

陈世昌 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN1873921A ,2006-12-06

[3]

用于半导体元件的电容器及其制造方法 [P].

吴平源 ;

金愚镇 ;

吴勋静 ;

尹孝根 ;

尹孝燮 ;

催佰一 .

中国专利 :CN1794456A ,2006-06-28

[4]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1279513A ,2001-01-10

[5]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1168144C ,2001-01-17

[6]

具有电容器元件的半导体器件 [P].

井上显 ;

井上智子 .

中国专利 :CN101447503B ,2009-06-03

[7]

电容器、半导体元件及该电容器的制备方法 [P].

王茂盈 ;

黄则尧 .

中国专利 :CN115527982B ,2025-12-05

[8]

电容器、半导体元件及该电容器的制备方法 [P].

王茂盈 ;

黄则尧 .

中国专利 :CN115527982A ,2022-12-27

[9]

制造半导体电容器的方法 [P].

王贤愈 ;

黄志坚 ;

吴坤霖 .

中国专利 :CN1336685A ,2002-02-20

[10]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

朱光喆 ;

李起正 ;

韩一根 .

中国专利 :CN1280392A ,2001-01-17

← 1 2 3 4 5 →