氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010404650.8

申请日：

2020-05-14

公开(公告)号：

CN111792941A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

周孔礼

申请人：

申请人地址：

046021 山西省长治市高新区漳泽工业园(山西中科潞安半导体技术研究院有限公司研发楼三层304)

IPC主分类号：

C04B3700

IPC分类号：

C04B3702 C04B4188 B41M112 B41M122 B41M134

代理机构：

深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604

代理人：

胡国英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	公开	公开
2020-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 37/00 申请日:20200514

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法 [P].

周孔礼 .

中国专利 :CN111745245A ,2020-10-09

[2]

氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 [P].

周孔礼 .

中国专利 :CN111792942A ,2020-10-20

[3]

氮化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法 [P].

周孔礼 .

中国专利 :CN111792943A ,2020-10-20

[4]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[5]

氧化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 [P].

周孔礼 .

中国专利 :CN111908952A ,2020-11-10

[6]

一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构 [P].

周孔礼 .

中国专利 :CN212451222U ,2021-02-02

[7]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[8]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[9]

氮化硅基板及其烧结方法和应用 [P].

余文孜 ;

王晨欢 ;

赵海龙 ;

杨燕 ;

李杰 ;

彭翔 ;

黄焕 .

中国专利 :CN120483736A ,2025-08-15

[10]

氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN108495831B ,2018-09-04

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