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氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010531847.8
申请日
:
2020-06-11
公开(公告)号
:
CN111745245A
公开(公告)日
:
2020-10-09
发明(设计)人
:
周孔礼
申请人
:
申请人地址
:
046021 山西省长治市高新区漳泽工业园(山西中科潞安半导体技术研究院有限公司研发楼三层304)
IPC主分类号
:
B23K1008
IPC分类号
:
B23K308
H01L3348
代理机构
:
深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604
代理人
:
胡国英
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 1/008 申请日:20200611
2020-10-09
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周孔礼
.
中国专利
:CN111792941A
,2020-10-20
[2]
氮化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
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0
周孔礼
.
中国专利
:CN111792943A
,2020-10-20
[3]
一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
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0
周孔礼
.
中国专利
:CN212451222U
,2021-02-02
[4]
氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周孔礼
.
中国专利
:CN111925228A
,2020-11-13
[5]
氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周孔礼
.
中国专利
:CN111792942A
,2020-10-20
[6]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板
[P].
杨晓冬
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
杨晓冬
;
冼锐炜
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
冼锐炜
.
中国专利
:CN120349192A
,2025-07-22
[7]
氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
杨晓冬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长沙华驰微电子技术有限公司
长沙华驰微电子技术有限公司
杨晓冬
.
中国专利
:CN117776739A
,2024-03-29
[8]
氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板
[P].
黄荣厦
论文数:
0
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0
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0
黄荣厦
;
吴建波
论文数:
0
引用数:
0
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吴建波
;
刘超华
论文数:
0
引用数:
0
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刘超华
;
林华泰
论文数:
0
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0
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林华泰
.
中国专利
:CN113773092A
,2021-12-10
[9]
氧化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法
[P].
周孔礼
论文数:
0
引用数:
0
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0
周孔礼
.
中国专利
:CN111908952A
,2020-11-10
[10]
氮化硅陶瓷基板及其制造方法
[P].
邢孟江
论文数:
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邢孟江
;
杨晓东
论文数:
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杨晓东
;
代传相
论文数:
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代传相
;
邢孟道
论文数:
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邢孟道
;
刘永红
论文数:
0
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刘永红
.
中国专利
:CN114409413A
,2022-04-29
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