氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010531847.8
申请日
2020-06-11
公开(公告)号
CN111745245A
公开(公告)日
2020-10-09
发明(设计)人
周孔礼
申请人
申请人地址
046021 山西省长治市高新区漳泽工业园(山西中科潞安半导体技术研究院有限公司研发楼三层304)
IPC主分类号
B23K1008
IPC分类号
B23K308 H01L3348
代理机构
深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604
代理人
胡国英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN111792941A ,2020-10-20
[2]
氮化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN111792943A ,2020-10-20
[3]
一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN212451222U ,2021-02-02
[4]
氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN111925228A ,2020-11-13
[5]
氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN111792942A ,2020-10-20
[6]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P]. 
杨晓冬 ;
冼锐炜 .
中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22
[7]
氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
杨晓冬 .
中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29
[8]
氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P]. 
黄荣厦 ;
吴建波 ;
刘超华 ;
林华泰 .
中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10
[9]
氧化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 [P]. 
周孔礼 .
中国专利 :CN111908952A ,2020-11-10
[10]
氮化硅陶瓷基板及其制造方法 [P]. 
邢孟江 ;
杨晓东 ;
代传相 ;
邢孟道 ;
刘永红 .
中国专利 :CN114409413A ,2022-04-29