光致抗蚀剂掩膜形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710037683.8

申请日：

2007-02-13

公开(公告)号：

CN101246309A

公开(公告)日：

2008-08-20

发明(设计)人：

孟兆祥吴永玉

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F7004

IPC分类号：

G03F716 G03F720 G03F700 H01L21027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李文红

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/004 申请日:20070213 授权公告日:20110706 终止日期:20190213
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-06	授权	授权
2008-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

角田力太 ;

柳楠熙 ;

染谷康夫 .

日本专利 :CN112946999B ,2025-12-23

[2]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

角田力太 ;

柳楠熙 ;

染谷康夫 .

中国专利 :CN112946999A ,2021-06-11

[3]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

赵庸桓 ;

全吉敏 ;

朴汉雨 .

中国专利 :CN105319837A ,2016-02-10

[4]

光致抗蚀剂元件的形成方法 [P].

D·W·约翰逊 .

中国专利 :CN101176038A ,2008-05-07

[5]

厚膜用光致抗蚀剂组合物及厚膜光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

柳大喆 ;

赵恩率 ;

大野庆晃 .

中国专利 :CN112241106A ,2021-01-19

[6]

光致抗蚀剂层的形成方法 [P].

刘宇桓 ;

陈志荣 ;

黄志忠 .

中国专利 :CN101539724A ,2009-09-23

[7]

正性光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的方法 [P].

增田靖男 ;

奥井俊树 .

中国专利 :CN100404573C ,2006-08-23

[8]

光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法 [P].

訾安仁 ;

林进祥 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113176708A ,2021-07-27

[9]

新颖光酸产生剂、光致抗蚀剂组合物及光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

金宰贤 ;

许明铉 ;

金贞植 ;

俞敏子 ;

李衡根 ;

池灿爀 ;

张景勋 ;

河政敏 .

韩国专利 :CN118401893A ,2024-07-26

[10]

光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

李喻珍 ;

鲁京奎 .

中国专利 :CN107870524B ,2018-04-03

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