铜/钼系多层薄膜用蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280037180.X

申请日：

2012-07-25

公开(公告)号：

CN103717787A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

冈部哲安谷屋智幸丸山岳人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23F118

IPC分类号：

C23F126 H01L2128 H01L21306 H01L21308 H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	公开	公开
2016-08-24	授权	授权
2014-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582968677 IPC(主分类):C23F 1/18 专利申请号:201280037180X 申请日:20120725

共 50 条

[1]

包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液 [P].

冈部哲 ;

成田和代 ;

松原将英 ;

安谷屋智幸 ;

丸山岳人 .

中国专利 :CN102762770A ,2012-10-31

[2]

一种铜镍多层薄膜用蚀刻液 [P].

张丽燕 ;

卢燕燕 .

中国专利 :CN107287594A ,2017-10-24

[3]

铜／钛系多层薄膜用蚀刻液 [P].

安谷屋智幸 ;

冈部哲 ;

后藤敏之 ;

丸山岳人 ;

小林和树 ;

田中惠一 ;

中村涉 ;

纪藤贤一 ;

田中哲宪 .

中国专利 :CN102834547A ,2012-12-19

[4]

包含钼和铜的多层膜用蚀刻液、蚀刻浓缩液以及蚀刻方法 [P].

着能真 ;

渊上真一郎 ;

鬼头佑典 ;

小佐野善秀 .

中国专利 :CN106255777A ,2016-12-21

[5]

多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法 [P].

着能真 ;

鬼头佑典 ;

渊上真一郎 ;

小佐野善秀 .

中国专利 :CN106460197A ,2017-02-22

[6]

一种硅系多层薄膜用蚀刻液 [P].

王海 ;

田志扬 ;

赵晓亚 ;

曹文兵 ;

袁野 ;

曾朵清 ;

卢振成 .

中国专利 :CN106854468A ,2017-06-16

[7]

铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物 [P].

申孝燮 ;

李恩庆 ;

金世训 .

中国专利 :CN103924242B ,2014-07-16

[8]

多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法 [P].

着能真 ;

小佐野善秀 ;

渊上真一郎 .

中国专利 :CN105765107A ,2016-07-13

[9]

铜钼金属蚀刻液及其应用 [P].

郭前程 .

中国专利 :CN113667979A ,2021-11-19

[10]

铜蚀刻液 [P].

米田拓也 ;

石田哲司 ;

山本久光 ;

嘉藤一成 ;

清水良祐 .

中国专利 :CN115433939A ,2022-12-06

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