硅晶片清洗工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610200329.1

申请日：

2016-03-31

公开(公告)号：

CN105655239B

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

邹文龙张力峰田利中白青松梁会宁

申请人：

申请人地址：

215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669292141 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016102003291 申请日:20160331
2019-07-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20190617 变更事项:专利权人变更前权利人:苏州晶樱光电科技股份有限公司变更后权利人:扬州晶樱光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电变更后权利人:225000 江苏省扬州市高邮市经济开发区凌波路86号
2018-05-25	授权	授权
2019-07-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:苏州晶樱光电科技有限公司变更后:苏州晶樱光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前:215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电变更后:215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电
2016-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

硅晶片研磨之后的清洗工艺 [P].

柴晶(音译) ;

亨利·F·伊尔克 ;

朱迪斯·A·施密特 ;

托马斯·E·达尼 .

中国专利 :CN1281588A ,2001-01-24

[2]

一种硅晶片清洗装置及其工艺 [P].

陈春成 ;

戚建静 .

中国专利 :CN112309886A ,2021-02-02

[3]

硅晶片脱胶工艺 [P].

白青松 ;

张力峰 ;

田利中 ;

邹文龙 ;

梁会宁 .

中国专利 :CN105855213A ,2016-08-17

[4]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[5]

一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺 [P].

李亚松 ;

李汉生 ;

蔡雪良 .

中国专利 :CN118455177A ,2024-08-09

[6]

硅晶片加工液及硅晶片加工方法 [P].

北村友彦 .

中国专利 :CN103053010B ,2013-04-17

[7]

适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法 [P].

佘怡璇 ;

徐志贤 ;

卢厚德 ;

王兴嘉 .

中国专利 :CN102719330A ,2012-10-10

[8]

一种硅晶片清洗装置 [P].

魏运秀 .

中国专利 :CN111883468A ,2020-11-03

[9]

一种硅晶片清洗装置 [P].

朱汪龙 ;

朱玲 .

中国专利 :CN210995512U ,2020-07-14

[10]

旋转式硅晶片清洗装置 [P].

大见忠弘 ;

白井泰雪 ;

藤田巧 ;

皆见幸男 ;

池田信一 ;

森本明弘 ;

川田幸司 .

中国专利 :CN100359641C ,2008-01-02

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