半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110413955.6

申请日：

2011-12-13

公开(公告)号：

CN103165576A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

周鸣洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494122672 IPC(主分类):H01L 23/532 专利申请号:2011104139556 申请日:20111213
2013-06-19	公开	公开
2015-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103137598B ,2013-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井胜一 ;

森本升 ;

西冈康隆 ;

泉谷淳子 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

汪新学 ;

康晓旭 .

中国专利 :CN102173377A ,2011-09-07

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄祥逸 .

中国专利 :CN100550347C ,2008-06-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

亚历山大·卡尔尼斯基 ;

罗仕豪 ;

柯弘彬 .

中国专利 :CN111524974A ,2020-08-11

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 .

中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21

← 1 2 3 4 5 →