一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010391861.2
申请日
2020-05-11
公开(公告)号
CN111730418A
公开(公告)日
2020-10-02
发明(设计)人
张超仁 李星 林涛 孙晨光 王彦君
申请人
申请人地址
214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
IPC主分类号
B24B100
IPC分类号
H01L2102
代理机构
北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572
代理人
段宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
裸半导体晶片的单面抛光的方法 [P]. 
K·勒特格 ;
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[22]
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[23]
半导体硅片双面同步抛光装置 [P]. 
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寇世尧 ;
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[24]
一种利用复合磨料抛光垫的半导体硅片抛光装置 [P]. 
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[25]
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[26]
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孙晨光 ;
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由佰玲 ;
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刘秒 ;
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[30]
一种半导体硅片抛光用下载暂存机构 [P]. 
袁祥龙 ;
刘园 ;
武卫 ;
刘建伟 ;
由佰玲 ;
孙晨光 ;
王彦君 ;
常雪岩 ;
裴坤羽 ;
祝斌 ;
刘姣龙 ;
张宏杰 ;
谢艳 ;
杨春雪 ;
刘秒 ;
吕莹 ;
徐荣清 .
中国专利 :CN213889515U ,2021-08-06