在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜

被引：0

申请号：

CN202011551936.5

申请日：

2020-12-24

公开(公告)号：

CN114657540A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

安重镒金成基项金娟李亭亭刘青

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1652

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

金铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20201224
2022-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜 [P].

安重镒 ;

金成基 ;

项金娟 ;

李亭亭 ;

刘青 .

中国专利 :CN114657540B ,2025-04-01

[2]

形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底 [P].

N·申德 ;

长原达郎 ;

高野祐辅 .

中国专利 :CN103702933A ,2014-04-02

[3]

在衬底上形成焊料沉积的方法 [P].

S.兰普雷希特 ;

K-J.马特雅特 ;

I.埃沃特 ;

S.肯尼 .

中国专利 :CN103026475A ,2013-04-03

[4]

膜层的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN114334796B ,2025-01-17

[5]

膜层的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN114334796A ,2022-04-12

[6]

在衬底表面上形成硅化钼层的方法 [P].

D·厄尔努尔 ;

J·W·梅斯 .

:CN119480616A ,2025-02-18

[7]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1499605A ,2004-05-26

[8]

填充衬底表面内形成的凹陷部的方法和设备 [P].

V.波雷 ;

刘泽铖 .

中国专利 :CN111593330A ,2020-08-28

[9]

用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 [P].

刘泽铖 ;

V.波雷 .

中国专利 :CN111593319A ,2020-08-28

[10]

在衬底上形成焊料合金沉积的方法 [P].

K-J.马特雅特 ;

S.兰普雷希特 ;

I.埃沃特 .

中国专利 :CN103026476A ,2013-04-03

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