制造半导体器件的电容器的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200310124042.8
申请日
2003-12-31
公开(公告)号
CN1540746A
公开(公告)日
2004-10-27
发明(设计)人
徐源善
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21822
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
李晓舒;魏晓刚
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体器件的电容器制造方法 [P]. 
李起正 ;
梁洪善 .
中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31
[2]
制造半导体器件的电容器的方法 [P]. 
朴泳震 .
中国专利 :CN1148731A ,1997-04-30
[3]
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P]. 
金京民 ;
金东俊 ;
李光云 .
中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16
[4]
具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P]. 
梶田明广 ;
山田雅基 .
中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18
[5]
制造半导体器件电容器的方法 [P]. 
崔璟根 .
中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14
[6]
制造半导体器件电容器的方法 [P]. 
崔璟根 .
中国专利 :CN1054702C ,1997-02-19
[7]
半导体器件电容器的制造方法 [P]. 
梁泽承 .
中国专利 :CN101599426A ,2009-12-09
[8]
制造半导体器件的电容器的方法 [P]. 
木城耕一 .
中国专利 :CN1120524C ,1998-09-09
[9]
半导体器件的电容器的制造方法 [P]. 
朴钟范 ;
吴勋静 ;
金京民 .
中国专利 :CN1329975C ,2004-01-14
[10]
半导体器件的电容器的制造方法 [P]. 
李起正 ;
朱光喆 .
中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16