一种纳米结构可控的稀磁半导体材料及其制备方法与装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410393536.4

申请日：

2014-08-11

公开(公告)号：

CN104200947B

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

曾德长马海力刘仲武余红雅

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01F4130 B05B1706 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

蔡茂略

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594569688 IPC(主分类):H01F 1/40 专利申请号:2014103935364 申请日:20140811
2014-12-10	公开	公开
2017-10-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

郭永权 ;

解娜娜 .

中国专利 :CN105523527A ,2016-04-27

[2]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[3]

一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183587A ,2008-05-21

[4]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[5]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[6]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[7]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[8]

强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法与装置 [P].

朱明原 ;

李瑛 ;

杨涛 ;

黄金 ;

李义兵 ;

胡业旻 ;

金红明 .

中国专利 :CN101486486A ,2009-07-22

[9]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[10]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

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