具有穿模冷却通道的半导体装置组合件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780033807.7

申请日：

2017-06-08

公开(公告)号：

CN109314093B

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

布拉德利·R·比茨李晓杰斯皮德·S·甘德席

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2331 H01L2348

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-05	公开	公开
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20170608
2022-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

具有集成导电冷却通道的半导体 [P].

理查德·马洛 ;

克雷格·布莱恩·罗杰斯 .

中国专利 :CN111613590A ,2020-09-01

[2]

半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法 [P].

B·P·沃兹 ;

B·L·麦克莱恩 ;

J·E·明尼克 .

中国专利 :CN110164778A ,2019-08-23

[3]

具有环形中介件的半导体装置组合件 [P].

汤玛士·H·金斯利 .

中国专利 :CN110692132A ,2020-01-14

[4]

半导体装置组合件及制作半导体装置组合件的方法 [P].

B·K·施特雷特 .

中国专利 :CN110797307A ,2020-02-14

[5]

用于半导体装置组合件的冷却系统 [P].

R·K·库里帕拉 ;

S·R·亚拉古恩塔 .

美国专利 :CN118156237A ,2024-06-07

[6]

具有模环导体的半导体装置 [P].

宫地徹平 .

美国专利 :CN118248671A ,2024-06-25

[7]

具有半导体薄膜的组合半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

安孙子一松 ;

佐久田昌明 .

中国专利 :CN101800183B ,2010-08-11

[8]

具有半导体薄膜的组合半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

安孙子一松 ;

佐久田昌明 .

中国专利 :CN102529420B ,2012-07-04

[9]

具有半导体薄膜的组合半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

安孙子一松 ;

佐久田昌明 .

中国专利 :CN1501493A ,2004-06-02

[10]

具有故障保护的半导体组合件 [P].

J.L.乌特拉姆 ;

J.格雷瓜尔 .

中国专利 :CN111164746A ,2020-05-15

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