硫化法在金属箔片衬底上制备ZnS薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611015011.2

申请日：

2016-11-18

公开(公告)号：

CN106653565A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

王耀斌

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市高新区沣惠南路36号橡树街区1号楼10610室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

西安亿诺专利代理有限公司 61220

代理人：

贾苗苗

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2020-06-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170510

共 50 条

[1]

一种柔性衬底ZnS薄膜的制备方法 [P].

许佳雄 ;

杨元政 ;

谢致薇 ;

陈先朝 ;

何玉定 ;

曹中明 ;

辛辅炼 ;

魏坚烽 ;

黄俊彬 ;

温楚雄 ;

邱莎莎 .

中国专利 :CN103981497A ,2014-08-13

[2]

一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299A ,2022-01-25

[3]

一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法 [P].

胡卉 ;

胡文 ;

李洋洋 ;

李真宇 ;

张秀全 .

中国专利 :CN109686659A ,2019-04-26

[4]

在衬底上制备多级台阶的方法 [P].

杨健 ;

司朝伟 ;

韩国威 ;

宁瑾 ;

赵永梅 ;

梁秀琴 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN104445051A ,2015-03-25

[5]

在金属箔片上直接印制图片的方法 [P].

赵晓峰 .

中国专利 :CN1336288A ,2002-02-20

[6]

一种在SiO<sub>2</sub>衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299B ,2024-03-22

[7]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[8]

在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 [P].

刘力锋 ;

陈诺夫 ;

尹志岗 ;

杨霏 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1885493A ,2006-12-27

[9]

在衬底上形成图案的方法 [P].

李泰文 ;

杨拥平 .

中国专利 :CN111724816A ,2020-09-29

[10]

一种在衬底上制备图案的方法 [P].

曾凡初 ;

黄翀 .

中国专利 :CN108198752A ,2018-06-22

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