一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910025405.3

申请日：

2019-01-10

公开(公告)号：

CN109686659A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

胡卉胡文李洋洋李真宇张秀全

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108

代理人：

张娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/18 申请日:20190110
2019-04-26	公开	公开
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/18 申请公布日:20190426

共 50 条

[1]

一种在衬底上制备图案的方法 [P].

曾凡初 ;

黄翀 .

中国专利 :CN108198752A ,2018-06-22

[2]

一种SOI硅衬底材料的制备方法 [P].

李捷 ;

高文琳 .

中国专利 :CN107785303A ,2018-03-09

[3]

一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法 [P].

李天保 ;

刘晨阳 ;

张哲 ;

于斌 ;

贾伟 ;

余春燕 ;

董海亮 ;

贾志刚 ;

许并社 .

中国专利 :CN108511322B ,2018-09-07

[4]

一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法 [P].

田洪军 ;

覃文治 ;

陈庆敏 ;

齐瑞峰 ;

刘源 ;

谢和平 .

中国专利 :CN114551221A ,2022-05-27

[5]

一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法 [P].

吴惠桢 ;

斯剑霄 ;

徐天宁 .

中国专利 :CN101236905B ,2008-08-06

[6]

在衬底上制备多级台阶的方法 [P].

杨健 ;

司朝伟 ;

韩国威 ;

宁瑾 ;

赵永梅 ;

梁秀琴 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN104445051A ,2015-03-25

[7]

一种在衬底上制备气致变色WO3薄膜的方法 [P].

沈辉 ;

徐雪青 .

中国专利 :CN1361077A ,2002-07-31

[8]

硫化法在金属箔片衬底上制备ZnS薄膜的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106653565A ,2017-05-10

[9]

一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299A ,2022-01-25

[10]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

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