半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320118296.8

申请日：

2013-03-15

公开(公告)号：

CN203242635U

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

M.菲莱迈耶 M.波尔兹尔 O.布兰克

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L29423 H01L29417

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;李浩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	授权	授权
2021-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130315 授权公告日:20131016 终止日期:20200315

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208923146U ,2019-05-31

[2]

半导体器件 [P].

松井孝二郎 ;

阪本雄彦 ;

梅津和之 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN204204847U ,2015-03-11

[3]

半导体器件 [P].

陈面国 .

中国专利 :CN208738245U ,2019-04-12

[4]

半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P].

M.菲莱迈耶 ;

W.佩因霍普夫 .

中国专利 :CN203242627U ,2013-10-16

[5]

半导体器件 [P].

D.郑 ;

金英宇 ;

金宰成 ;

印炯烈 .

中国专利 :CN215220721U ,2021-12-17

[6]

半导体器件 [P].

詹益旺 ;

李甫哲 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

童宇诚 ;

蔡佩庭 .

中国专利 :CN214797421U ,2021-11-19

[7]

半导体器件 [P].

M.波尔兹尔 ;

R.西米尼克 ;

M.罗施 .

中国专利 :CN203250745U ,2013-10-23

[8]

半导体器件 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN210110767U ,2020-02-21

[9]

半导体器件 [P].

山越英明 ;

冈保志 ;

冈田大介 .

中国专利 :CN102201415A ,2011-09-28

[10]

半导体器件 [P].

A.毛德 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203910785U ,2014-10-29

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