半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510067677.8

申请日：

2005-04-25

公开(公告)号：

CN1691342A

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

竹知和重加纳博司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L218238 H01L21786 B42D1510 G06K1900 G02F11333

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;陆锦华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101601207858 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2005100676778 变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:金振有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:萨摩亚阿皮亚海辉中心217号邮箱登记生效日:20130506
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-02	公开	公开
2011-09-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

荒井康行 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1385899A ,2002-12-18

[2]

半导体器件、半导体显示器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101266982A ,2008-09-17

[3]

晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P].

森若智昭 .

中国专利 :CN101043026A ,2007-09-26

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

下村明久 ;

浜田崇 .

中国专利 :CN1591778A ,2005-03-09

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 .

中国专利 :CN1396626A ,2003-02-12

[6]

制备薄膜半导体器件的方法 [P].

町田晓夫 ;

赤尾裕隆 ;

龟井隆广 ;

中尾勇 .

中国专利 :CN100380579C ,2006-05-10

[7]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[8]

半导体器件 [P].

E·杰加 ;

苏政扬 .

中国专利 :CN211929479U ,2020-11-13

[9]

半导体器件 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1540863A ,2004-10-27

[10]

半导体器件 [P].

张明 ;

李继鲁 ;

蒋谊 ;

陈芳林 ;

邹昌 ;

彭华文 .

中国专利 :CN101404273A ,2009-04-08

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