一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110215286.1

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN102263014A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

李娟叶成枝尹春建熊绍珍宰亚孟

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

C30B2802 C30B2906

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169313151 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011102152861 申请日:20110729
2011-11-30	公开	公开
2014-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101686141386 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011102152861 申请公布日:20111130

共 50 条

[1]

一种用氢等离子体预处理激光晶化制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李娟 ;

景月月 ;

吕朋浩 ;

刘政鹏 .

中国专利 :CN104078334B ,2014-10-01

[2]

一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅 [P].

班圣光 .

中国专利 :CN107119329A ,2017-09-01

[3]

表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法 [P].

熊绍珍 ;

吴春亚 ;

李学东 ;

孟志国 ;

李娟 ;

李鹤 .

中国专利 :CN100999388A ,2007-07-18

[4]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[5]

一种多晶硅薄膜材料的制备方法 [P].

郝会颖 ;

何明 .

中国专利 :CN104392908A ,2015-03-04

[6]

激光晶化光路系统、低温多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

陈卓 ;

陈建荣 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN104775161B ,2015-07-15

[7]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[8]

一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法 [P].

李娟 ;

尹春建 ;

熊绍珍 ;

杨明 ;

吴春亚 ;

孟志国 .

中国专利 :CN101894744A ,2010-11-24

[9]

一种多晶硅薄膜材料 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101840923A ,2010-09-22

[10]

一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法 [P].

王宙 ;

骆旭梁 ;

付传起 ;

董桂馥 ;

雍帆 .

中国专利 :CN104975260B ,2015-10-14

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