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半导体芯片的老化测试装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921648857.9
申请日：
2019-09-30
公开(公告)号：
CN211043577U
公开(公告)日：
2020-07-17
发明(设计)人：
罗跃浩
黄建军
胡海洋
申请人：
申请人地址：
215011 江苏省苏州市高新区湘江路1508号5幢
IPC主分类号：
G01R3128
IPC分类号：
G01R3126
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-17 | 授权 | 授权 |