半导体器件及其制造方法、以及电镀液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02815790.7

申请日：

2002-08-12

公开(公告)号：

CN1545728A

公开(公告)日：

2004-11-10

发明(设计)人：

井上裕章木村宪雄王新明松本守治金山真

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21288 C23C1832

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-01	授权	授权
2004-11-10	公开	公开
2005-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-07-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20020812 授权公告日:20070801 终止日期:20210812

共 50 条

[1]

半导体器件和制造方法以及电镀液 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100483648C ,2003-11-05

[2]

半导体器件和制造方法以及电镀液 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN1652310A ,2005-08-10

[3]

半导体器件和制造方法以及电镀液 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100456438C ,2005-08-10

[4]

半导体器件以及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

前川和义 ;

河野祐一 .

中国专利 :CN105720027A ,2016-06-29

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金炳烈 ;

大谷洋一 ;

陈晓萌 .

中国专利 :CN101140933B ,2008-03-12

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

幸康一郎 ;

斋藤彻 ;

久保实 ;

大仲清司 ;

浅井明 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19

[7]

半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的半导体封装 [P].

河相守 ;

金建来 ;

朴哲贤 ;

白寅学 ;

申尚澈 .

中国专利 :CN110034084A ,2019-07-19

[8]

制造半导体器件的方法以及电镀装置 [P].

有田幸司 ;

北尾良平 .

中国专利 :CN101114590A ,2008-01-30

[9]

半导体器件以及其制造方法 [P].

鸟居克行 .

中国专利 :CN101040386A ,2007-09-19

[10]

半导体器件以及其制造方法 [P].

T.迈尔 ;

W.施韦特利克 .

中国专利 :CN104465656B ,2015-03-25

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