半导体器件和制造方法以及电镀液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410104948.8

申请日：

2003-04-28

公开(公告)号：

CN100456438C

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

上野和良

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

C25D338 C25D346

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行;谢丽娜

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20030428 授权公告日:20090128 终止日期:20190428
2010-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101055187829 IPC(主分类):H01L 21/3205 专利号:ZL2004101049488 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2017-12-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3205 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2005-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-28	授权	授权
2005-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和制造方法以及电镀液 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100483648C ,2003-11-05

[2]

半导体器件和制造方法以及电镀液 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN1652310A ,2005-08-10

[3]

半导体器件及其制造方法、以及电镀液 [P].

井上裕章 ;

木村宪雄 ;

王新明 ;

松本守治 ;

金山真 .

中国专利 :CN1545728A ,2004-11-10

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[5]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

坂田敦子 ;

和田纯一 ;

尾本诚一 ;

羽多野正亮 ;

山下创一 ;

东和幸 ;

中村直文 ;

山田雅基 ;

木下和哉 ;

坚田富夫 ;

莲沼正彦 .

中国专利 :CN101350340B ,2009-01-21

[6]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

坂田敦子 ;

和田纯一 ;

尾本诚一 ;

羽多野正亮 ;

山下创一 ;

东和幸 ;

中村直文 ;

山田雅基 ;

木下和哉 ;

坚田富夫 ;

莲沼正彦 .

中国专利 :CN1848407A ,2006-10-18

[7]

制造半导体器件的方法以及电镀装置 [P].

有田幸司 ;

北尾良平 .

中国专利 :CN101114590A ,2008-01-30

[8]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100334725C ,2004-02-18

[10]

半导体器件以及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

前川和义 ;

河野祐一 .

中国专利 :CN105720027A ,2016-06-29

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