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氧空位型金属氧化物半导体的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910705688.6
申请日：
2019-08-01
公开(公告)号：
CN110560022A
公开(公告)日：
2019-12-13
发明(设计)人：
赵彩凤
杨亚辉
罗琳
邵赛
邵颖
张乐平
申请人：
申请人地址：
410128 湖南省长沙市芙蓉区农大路1号
IPC主分类号：
B01J2106
IPC分类号：
B01J2330
C02F130
C02F10130
C02F10138
代理机构：
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人：
肖云
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-01-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 21/06 申请日:20190801 |
| 2019-12-13 | 公开 | 公开 |