氧空位型金属氧化物半导体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910705688.6

申请日：

2019-08-01

公开(公告)号：

CN110560022A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

赵彩凤杨亚辉罗琳邵赛邵颖张乐平

申请人：

申请人地址：

410128 湖南省长沙市芙蓉区农大路1号

IPC主分类号：

B01J2106

IPC分类号：

B01J2330 C02F130 C02F10130 C02F10138

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

肖云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 21/06 申请日:20190801
2019-12-13	公开	公开

共 50 条

[41]

金属氧化物半导体电晶体的制造方法 [P].

顾子琨 ;

黄文助 .

中国专利 :CN1492490A ,2004-04-28

[42]

金属氧化物半导体的结构及其制造方法 [P].

涂高维 .

中国专利 :CN101924104A ,2010-12-22

[43]

金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102569085A ,2012-07-11

[44]

提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 [P].

张源 ;

向群 ;

徐甲强 ;

许鹏程 .

中国专利 :CN101140254B ,2008-03-12

[45]

金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件 [P].

约汉·M·内尔森 ;

克里斯托弗·B·考康 ;

理查德·D·斯托克 ;

琳达·S·布拉什 ;

约汉·L·本杰明 ;

路易斯·E·斯库尔基 ;

克里斯托弗·L·雷克塞尔 .

中国专利 :CN1146970C ,1998-11-04

[46]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[47]

金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

张耀文 ;

蔡文哲 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1400668A ,2003-03-05

[48]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[49]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[50]

重构氧空位的氧化物薄膜光电极及其制备方法 [P].

周忠源 ;

牛永生 ;

季婷 ;

梁鹏飞 ;

张坤豪 .

中国专利 :CN114921797A ,2022-08-19

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