氧空位型金属氧化物半导体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910705688.6

申请日：

2019-08-01

公开(公告)号：

CN110560022A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

赵彩凤杨亚辉罗琳邵赛邵颖张乐平

申请人：

申请人地址：

410128 湖南省长沙市芙蓉区农大路1号

IPC主分类号：

B01J2106

IPC分类号：

B01J2330 C02F130 C02F10130 C02F10138

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

肖云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 21/06 申请日:20190801
2019-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法 [P].

李文章 ;

占发琦 ;

李洁 .

中国专利 :CN109663584B ,2019-04-23

[2]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[3]

p型金属氧化物半导体材料 [P].

周子琪 ;

邱国创 ;

彭秀珠 ;

邱显浩 ;

谢玉慈 .

中国专利 :CN103715234B ,2014-04-09

[4]

金属氧化物半导体的建模方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN120046561A ,2025-05-27

[5]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[6]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[7]

金属氧化物半导体器件的制备方法 [P].

罗超 ;

赵亮 ;

刘志鹏 ;

张青 .

中国专利 :CN119815858A ,2025-04-11

[8]

高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1988176A ,2007-06-27

[9]

高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

李海松 ;

钱钦松 ;

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101217162A ,2008-07-09

[10]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

鲍嘉明 ;

贾侃 ;

李海松 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101217163A ,2008-07-09

← 1 2 3 4 5 →