半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310429744.0

申请日：

2013-09-13

公开(公告)号：

CN103681591B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

菊池卓菊池隆文

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L23538 H01L2507 H01L2516

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631740000 IPC(主分类):H01L 23/498 专利申请号:2013104297440 申请日:20130913
2018-06-26	授权	授权
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722416978 IPC(主分类):H01L 23/498 专利申请号:2013104297440 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

菊池卓 ;

菊池隆文 .

中国专利 :CN203733786U ,2014-07-23

[2]

半导体器件 [P].

板东晃司 .

中国专利 :CN1459857A ,2003-12-03

[3]

半导体器件 [P].

野村隆夫 ;

森凉 ;

福冈一树 .

中国专利 :CN105390481A ,2016-03-09

[4]

半导体器件 [P].

东修一郎 ;

冲永隆幸 ;

江俣孝司 ;

下石智明 ;

和田环 ;

西邦彦 ;

增田正亲 ;

管野利夫 .

中国专利 :CN1220492A ,1999-06-23

[5]

半导体器件 [P].

海老原洪平 ;

渡边宽 .

中国专利 :CN107534061B ,2018-01-02

[6]

半导体器件 [P].

中村弘幸 ;

下山浩哉 .

中国专利 :CN108364942A ,2018-08-03

[7]

半导体器件 [P].

川野连也 .

中国专利 :CN1670955A ,2005-09-21

[8]

半导体器件 [P].

山崎雅文 ;

铃木孝章 ;

中村俊和 ;

江渡聪 ;

三代俊哉 ;

佐藤绫子 ;

米田隆之 ;

川村典子 .

中国专利 :CN100530440C ,2007-03-14

[9]

半导体器件 [P].

油井隆 .

中国专利 :CN1835220A ,2006-09-20

[10]

半导体器件 [P].

黒田淳 ;

別井隆文 .

中国专利 :CN103715183B ,2014-04-09

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