形成沟槽的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910053372.X

申请日：

2009-06-18

公开(公告)号：

CN101930916B

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

王新鹏黄怡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101037115865 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:200910053372X 申请日:20090618
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487799871 IPC(主分类):H01L 21/311 专利号:ZL200910053372X 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121119
2010-12-29	公开	公开
2012-11-28	授权	授权

共 50 条

[1]

金属布线沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN101958277B ,2011-01-26

[2]

沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102214567B ,2011-10-12

[3]

形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 [P].

刘乒 ;

陈海华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101459108A ,2009-06-17

[4]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104091779B ,2014-10-08

[5]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104157601A ,2014-11-19

[6]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103377991B ,2013-10-30

[7]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[8]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[9]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104103569A ,2014-10-15

[10]

沟槽阵列的形成方法 [P].

李凡 .

中国专利 :CN102122635A ,2011-07-13

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