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一种磁控溅射靶材
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201620996161.5
申请日
:
2016-08-31
公开(公告)号
:
CN206089794U
公开(公告)日
:
2017-04-12
发明(设计)人
:
杨丰
孟彬
吴闪
林作亮
朱延俊
申请人
:
申请人地址
:
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号
:
C23C1435
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-04-12
授权
授权
2019-08-16
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20160831 授权公告日:20170412 终止日期:20180831
共 50 条
[1]
一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备
[P].
魏钰
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0
魏钰
;
宋博韬
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宋博韬
;
成军
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成军
;
刘宁
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刘宁
.
中国专利
:CN205934012U
,2017-02-08
[2]
一种新型磁控溅射靶材
[P].
张庆丰
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张庆丰
;
范晓鹏
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范晓鹏
;
李贵成
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李贵成
;
汪涛
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汪涛
;
胡尚智
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胡尚智
;
张加友
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张加友
;
刘占伟
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刘占伟
.
中国专利
:CN204138753U
,2015-02-04
[3]
一种磁控溅射靶材
[P].
曹明刚
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曹明刚
;
张磊
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张磊
;
王静
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王静
;
王鑫
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王鑫
;
刘雪莲
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刘雪莲
;
焦新宇
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焦新宇
;
金作林
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金作林
.
中国专利
:CN213507170U
,2021-06-22
[4]
一种磁控溅射靶材
[P].
高庆
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机构:
塔格特电子材料(上海)有限公司
塔格特电子材料(上海)有限公司
高庆
.
中国专利
:CN220284198U
,2024-01-02
[5]
磁控溅射靶材
[P].
姚力军
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姚力军
;
相原俊夫
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相原俊夫
;
大岩一彦
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大岩一彦
;
潘杰
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潘杰
;
王学泽
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王学泽
;
钟伟华
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钟伟华
.
中国专利
:CN202576553U
,2012-12-05
[6]
矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置
[P].
李晨光
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0
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0
李晨光
.
中国专利
:CN203782228U
,2014-08-20
[7]
矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置
[P].
孔伟华
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0
孔伟华
.
中国专利
:CN216192676U
,2022-04-05
[8]
一种磁控溅射靶材结构
[P].
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机构:
罗晴
.
中国专利
:CN220393887U
,2024-01-26
[9]
一种磁控溅射靶材结构
[P].
余松霖
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余松霖
;
林俊杰
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林俊杰
;
覃秦
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覃秦
.
中国专利
:CN203715718U
,2014-07-16
[10]
磁控溅射靶材和磁控溅射装置
[P].
胡小波
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0
胡小波
.
中国专利
:CN110129755A
,2019-08-16
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