磁控溅射靶材和磁控溅射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910483844.9

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN110129755A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

胡小波

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300

代理人：

黄威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20190605
2021-02-26	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更事项:申请人变更前:深圳市华星光电技术有限公司变更后:TCL华星光电技术有限公司变更事项:地址变更前:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更后:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2021-08-24	授权	授权
2019-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控溅射靶材及磁控溅射装置 [P].

李晨光 .

中国专利 :CN204022932U ,2014-12-17

[2]

磁控溅射靶材及磁控溅射装置 [P].

叶飞 ;

王金 ;

余义 .

中国专利 :CN223201906U ,2025-08-08

[3]

磁控溅射靶材 [P].

姚力军 ;

相原俊夫 ;

大岩一彦 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

钟伟华 .

中国专利 :CN202576553U ,2012-12-05

[4]

一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备 [P].

魏钰 ;

宋博韬 ;

成军 ;

刘宁 .

中国专利 :CN205934012U ,2017-02-08

[5]

矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置 [P].

李晨光 .

中国专利 :CN203782228U ,2014-08-20

[6]

矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置 [P].

孔伟华 .

中国专利 :CN216192676U ,2022-04-05

[7]

磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置 [P].

裴绍凯 .

中国专利 :CN101988189A ,2011-03-23

[8]

磁控溅射靶 [P].

刘洋 ;

汪振南 ;

见东伟 ;

杨永雷 .

中国专利 :CN111621754A ,2020-09-04

[9]

磁控溅射靶 [P].

王君久 ;

陈国华 ;

祝世国 .

中国专利 :CN202865323U ,2013-04-10

[10]

磁控溅射靶材护罩及磁控溅射卷绕镀膜设备 [P].

李晨光 ;

徐少东 .

中国专利 :CN103343322A ,2013-10-09

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