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半导体器件、半导体封装体以及用于制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410854553.3
申请日
:
2014-12-31
公开(公告)号
:
CN105895589B
公开(公告)日
:
2016-08-24
发明(设计)人
:
栾竟恩
申请人
:
申请人地址
:
新加坡新加坡
IPC主分类号
:
H01L2313
IPC分类号
:
H01L2331
H01L2177
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
王茂华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-09-21
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679350775 IPC(主分类):H01L 23/13 专利申请号:2014108545533 申请日:20141231
2016-08-24
公开
公开
2019-01-08
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体封装、半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
[P].
北和田尚志
论文数:
0
引用数:
0
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0
北和田尚志
.
中国专利
:CN111696946A
,2020-09-22
[2]
半导体器件、半导体封装以及制造半导体器件的方法
[P].
白石千
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白石千
;
金叙炫
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金叙炫
;
白敏
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白敏
;
李明俊
论文数:
0
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李明俊
;
李旨浩
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李旨浩
.
韩国专利
:CN120187038A
,2025-06-20
[3]
半导体器件以及半导体封装体
[P].
栾竟恩
论文数:
0
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0
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0
栾竟恩
.
中国专利
:CN204441273U
,2015-07-01
[4]
半导体器件、半导体封装以及用于测试半导体器件的方法
[P].
田中裕幸
论文数:
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0
田中裕幸
;
伊藤由人
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伊藤由人
;
関山昭則
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関山昭則
.
中国专利
:CN1467836A
,2004-01-14
[5]
半导体器件、半导体封装及制造半导体器件的方法
[P].
崔朱逸
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崔朱逸
;
文光辰
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文光辰
;
徐柱斌
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徐柱斌
;
林东灿
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林东灿
;
藤崎纯史
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藤崎纯史
;
李镐珍
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李镐珍
.
中国专利
:CN109300871A
,2019-02-01
[6]
半导体器件、半导体封装和制造半导体器件的方法
[P].
安宰镛
论文数:
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0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
安宰镛
;
杨周宪
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
杨周宪
;
尹矫植
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
尹矫植
.
韩国专利
:CN120341211A
,2025-07-18
[7]
半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的半导体封装
[P].
河相守
论文数:
0
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0
河相守
;
金建来
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金建来
;
朴哲贤
论文数:
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朴哲贤
;
白寅学
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0
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白寅学
;
申尚澈
论文数:
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申尚澈
.
中国专利
:CN110034084A
,2019-07-19
[8]
半导体器件以及半导体封装
[P].
田中裕幸
论文数:
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田中裕幸
;
伊藤由人
论文数:
0
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伊藤由人
;
関山昭則
论文数:
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関山昭則
.
中国专利
:CN100407423C
,2006-08-16
[9]
半导体封装体以及使用半导体封装体的半导体器件
[P].
玉馆由香
论文数:
0
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玉馆由香
.
中国专利
:CN101335253B
,2008-12-31
[10]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
林耀剑
论文数:
0
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0
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林耀剑
.
中国专利
:CN102024716B
,2011-04-20
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