一种磁控溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910265441.3

申请日：

2009-12-29

公开(公告)号：

CN102108490A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

周颖刘丽华

申请人：

申请人地址：

110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

白振宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096108202 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2009102654413 申请日:20091229
2020-03-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更事项:专利权人变更前:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司变更后:中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司变更事项:地址变更前:110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号变更后:110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

磁控溅射靶 [P].

周颖 ;

刘丽华 .

中国专利 :CN201634757U ,2010-11-17

[2]

一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备 [P].

魏钰 ;

宋博韬 ;

成军 ;

刘宁 .

中国专利 :CN205934012U ,2017-02-08

[3]

磁控溅射靶 [P].

刘洋 ;

汪振南 ;

见东伟 ;

杨永雷 .

中国专利 :CN111621754A ,2020-09-04

[4]

磁控溅射靶 [P].

王君久 ;

陈国华 ;

祝世国 .

中国专利 :CN202865323U ,2013-04-10

[5]

磁控溅射靶 [P].

刘洋 ;

汪振南 ;

见东伟 ;

杨永雷 .

中国专利 :CN210104059U ,2020-02-21

[6]

磁控溅射靶 [P].

裴绍凯 .

中国专利 :CN101956170A ,2011-01-26

[7]

磁控溅射靶 [P].

马磊 ;

李子云 ;

张浙军 .

中国专利 :CN201506829U ,2010-06-16

[8]

磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置 [P].

裴绍凯 .

中国专利 :CN101988189A ,2011-03-23

[9]

一种磁控溅射靶与磁控溅射设备 [P].

陈岩 ;

杜晓健 ;

高博 .

中国专利 :CN202786406U ,2013-03-13

[10]

一种磁控溅射靶 [P].

郭方准 .

中国专利 :CN204982041U ,2016-01-20

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