半导体器件测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510230999.3

申请日：

2015-05-07

公开(公告)号：

CN106206343A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

殷原梓

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695166648 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2015102309993 申请日:20150507
2019-01-25	授权	授权

共 50 条

[1]

测试半导体器件的探针卡及半导体器件测试方法 [P].

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1271178A ,2000-10-25

[2]

半导体器件测试方法 [P].

付作振 ;

马小龙 ;

殷华湘 .

中国专利 :CN103512508B ,2014-01-15

[3]

半导体器件及半导体器件的测试方法 [P].

龟山祯史 ;

池田昌功 .

日本专利 :CN111380628B ,2024-06-07

[4]

半导体器件及半导体器件的测试方法 [P].

龟山祯史 ;

池田昌功 .

中国专利 :CN111380628A ,2020-07-07

[5]

半导体器件和测试半导体器件的方法 [P].

桥本洁和 ;

常定信利 .

中国专利 :CN101241751B ,2008-08-13

[6]

半导体器件、半导体器件的测试结构和测试方法 [P].

李珍铭 ;

李一权 ;

李埈宇 ;

郑相九 ;

朴敬美 ;

李仁爱 .

中国专利 :CN104576614A ,2015-04-29

[7]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[8]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

[9]

半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山口直子 ;

杉崎吉昭 ;

青木秀夫 ;

平冈俊郎 ;

堀田康之 ;

青竹茂 ;

泽登美纱 .

中国专利 :CN1449010A ,2003-10-15

[10]

用于测试半导体器件的方法和半导体器件测试系统 [P].

K·B·埃令顿 ;

K·J·迪克森 .

中国专利 :CN101889337A ,2010-11-17

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