用于检测半导体器件键合强度的测试装置及测试方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910310169.X
申请日
2019-04-17
公开(公告)号
CN109932315A
公开(公告)日
2019-06-25
发明(设计)人
宾伟雄
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区招商街道南海大道以西美年国际广场1栋6层604-33
IPC主分类号
G01N1904
IPC分类号
代理机构
北京久维律师事务所 11582
代理人
邢江峰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于检测半导体器件键合强度的测试装置及测试方法 [P]. 
宾伟雄 .
中国专利 :CN109932315B ,2024-05-31
[2]
一种用于检测半导体器件键合强度的测试装置 [P]. 
宾伟雄 .
中国专利 :CN209992365U ,2020-01-24
[3]
用于检测半导体器件粘接强度的测试装置及方法 [P]. 
宾伟雄 .
中国专利 :CN113092363A ,2021-07-09
[4]
用于检测半导体器件粘接强度的测试装置 [P]. 
宾伟雄 .
中国专利 :CN215115814U ,2021-12-10
[5]
半导体器件内引线键合强度测试装置 [P]. 
刘德强 .
中国专利 :CN213714922U ,2021-07-16
[6]
用于测试半导体器件的方法和半导体器件测试装置 [P]. 
许顺来 ;
邱尔万 .
德国专利 :CN118625083A ,2024-09-10
[7]
半导体器件内引线键合强度测试装置及其检测方法 [P]. 
刘德强 .
中国专利 :CN112284900A ,2021-01-29
[8]
半导体器件内引线键合强度测试装置及其检测方法 [P]. 
刘德强 .
中国专利 :CN112284900B ,2025-03-11
[9]
用于半导体器件测试的测试装置 [P]. 
叶守银 ;
刘远华 ;
余琨 ;
王锦 ;
陈燕 .
中国专利 :CN102707219A ,2012-10-03
[10]
半导体器件测试装置 [P]. 
渡边丰 ;
中村浩人 ;
矢部利男 ;
千叶道郎 .
中国专利 :CN1115721C ,1997-12-31