双金线芯片封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120308444.3

申请日：

2011-08-23

公开(公告)号：

CN202205735U

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

黄素娟

申请人：

申请人地址：

225004 江苏省扬州市广陵产业园龙泉路16号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2300

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

董旭东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	授权	授权
2021-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20110823 授权公告日:20120425

共 50 条

[1]

芯片金-金封装结构 [P].

邹建华 .

中国专利 :CN201689881U ,2010-12-29

[2]

双芯片封装结构 [P].

谢光晶 ;

盛锋 ;

王青松 ;

李晖 .

中国专利 :CN222734979U ,2025-04-08

[3]

一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风 [P].

陈敏 ;

杨利君 ;

欧新华 .

中国专利 :CN202949567U ,2013-05-22

[4]

芯片封装基板和芯片封装结构 [P].

吴勇军 .

中国专利 :CN212695146U ,2021-03-12

[5]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[6]

双芯片并联联接封装结构 [P].

黄昌民 .

中国专利 :CN205376519U ,2016-07-06

[7]

芯片封装的焊线点结构 [P].

张建国 ;

伍江涛 ;

潘廷宏 ;

李永洪 ;

叱晓鹏 .

中国专利 :CN202120896U ,2012-01-18

[8]

芯片封装结构及封装芯片 [P].

杨元杰 ;

王加大 ;

赵佳丽 .

中国专利 :CN214956862U ,2021-11-30

[9]

一种双芯片封装结构 [P].

高潮 ;

黄素娟 .

中国专利 :CN204538022U ,2015-08-05

[10]

层状双体LED芯片封装结构 [P].

许海鹏 .

中国专利 :CN204067421U ,2014-12-31

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