半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710742723.2

申请日：

2017-08-25

公开(公告)号：

CN107863352A

公开(公告)日：

2018-03-30

发明(设计)人：

远藤佑太

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20170825

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN110047937A ,2019-07-23

[2]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105810752A ,2016-07-27

[3]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN103824886B ,2014-05-28

[4]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN107068767A ,2017-08-18

[5]

半导体装置 [P].

加藤纯男 ;

上田直树 .

中国专利 :CN105765720B ,2016-07-13

[6]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102834922A ,2012-12-19

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108321209B ,2018-07-24

[8]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107195676A ,2017-09-22

[9]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103066126B ,2013-04-24

[10]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104662668B ,2015-05-27

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