湿法刻蚀机台及消除硅片刻蚀差异的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910057265.4

申请日：

2009-05-15

公开(公告)号：

CN101886262B

公开(公告)日：

2010-11-17

发明(设计)人：

杨华姚嫦娲

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

C23F108

IPC分类号：

C23F124

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685688942 IPC(主分类):C23F 1/08 专利号:ZL2009100572654 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131219
2010-11-17	公开	公开
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028082987 IPC(主分类):C23F 1/08 专利申请号:2009100572654 申请日:20090515
2012-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[4]

硅片刻蚀方法 [P].

胡竞之 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105097488A ,2015-11-25

[5]

硅片刻蚀方法 [P].

刘厥扬 .

中国专利 :CN110767545A ,2020-02-07

[6]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[7]

一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片 [P].

高祎璠 ;

刘恒 ;

郑学恒 ;

路浩通 .

中国专利 :CN119529845A ,2025-02-28

[8]

一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统 [P].

袁陨来 ;

吴帅 ;

张鹏程 ;

王建波 ;

吕俊 .

中国专利 :CN114724942A ,2022-07-08

[9]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[10]

湿法刻蚀系统、湿法刻蚀方法 [P].

姚嫦娲 .

中国专利 :CN103985660B ,2014-08-13

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