用于半导体器件的温度监视装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99118751.2

申请日：

1999-09-16

公开(公告)号：

CN1244805C

公开(公告)日：

2000-07-12

发明(设计)人：

斯蒂芬·尤格纳·斯第尔雷·加西亚坎达尔·安霍尼·霍尼卡特小詹姆斯·J·托特

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

G01K1310

IPC分类号：

G05B19406

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

马浩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101028888594 IPC(主分类):G01K 13/10 专利号:ZL991187512 申请日:19990916 授权公告日:20060308 终止日期:20091016
2000-07-12	公开	公开
2006-03-08	授权	授权
2000-04-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件和用于构造半导体器件的方法 [P].

赵应山 ;

达尼·克拉夫特 ;

达里尔·加利波 .

中国专利 :CN109121291A ,2019-01-01

[2]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 ;

卡斯珀·范德阿福尔特 ;

昆拉德·科内利斯·塔克 ;

雷姆卡·亨里克斯·威廉颂·皮内伯格 ;

奥拉夫·文尼肯 ;

马基恩·戈森斯 .

中国专利 :CN110088037A ,2019-08-02

[3]

用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法 [P].

阙秀福 ;

刘亚男 ;

杨连乔 ;

张建华 .

中国专利 :CN105004427A ,2015-10-28

[4]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

丸山友美 .

中国专利 :CN103359678A ,2013-10-23

[5]

半导体器件、半导体装置和用于制备半导体器件的方法 [P].

陈毅坚 ;

李西军 ;

宋春燕 .

中国专利 :CN119545900A ,2025-02-28

[6]

抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

石川彰 ;

潮嘉次郎 .

中国专利 :CN101791781B ,2010-08-04

[7]

抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

石川彰 ;

潮嘉次郎 .

中国专利 :CN1500290A ,2004-05-26

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

江宗宪 ;

黄育智 ;

郭婷婷 ;

戴志轩 ;

吴邦立 ;

曾英诚 ;

赖季晖 ;

刘家宏 ;

蔡豪益 ;

刘重希 ;

余振华 .

中国专利 :CN110957229B ,2020-04-03

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

野坂隆之 .

中国专利 :CN104143531A ,2014-11-12

[10]

半导体器件和半导体器件的加工方法 [P].

徐维 ;

章剑锋 .

中国专利 :CN115377044A ,2022-11-22

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