促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510130651.3

申请日：

2005-12-16

公开(公告)号：

CN100370593C

公开(公告)日：

2006-10-11

发明(设计)人：

孙亚林

申请人：

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L2167 H01L213065 H01L2100 C23F400

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

司君智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-11	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-20	授权	授权
2018-08-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/683 变更事项:专利权人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号变更后:100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号

共 50 条

[1]

晶片刻蚀方法 [P].

季凡 ;

汪健 ;

王玉新 ;

丁佳 ;

赵雁雁 ;

郭海亮 ;

姚道州 .

中国专利 :CN117995673A ,2024-05-07

[2]

一种在晶片刻蚀设备中彻底释放静电卡盘静电的方法 [P].

付金生 .

中国专利 :CN100416758C ,2006-10-18

[3]

太阳能晶片静电卡盘 [P].

Y·K·赵 ;

K·贾纳吉拉曼 ;

T·布卢克 ;

D·克达拉亚 .

中国专利 :CN104221272A ,2014-12-17

[4]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[5]

静电卡盘装置及晶片静电吸附方法 [P].

蒋志超 ;

罗兴安 ;

胡淼龙 ;

张春雷 ;

王林 .

中国专利 :CN111540707A ,2020-08-14

[6]

半导体刻蚀设备中的静电卡盘 [P].

张裕 .

中国专利 :CN221632546U ,2024-08-30

[7]

静电卡盘的制造方法和静电卡盘 [P].

多贺敏 ;

小林義之 ;

永关一也 .

中国专利 :CN109216253A ,2019-01-15

[8]

静电卡盘及半导体刻蚀设备 [P].

郭绘芬 .

中国专利 :CN120998858A ,2025-11-21

[9]

一种用于晶片夹持的静电卡盘 [P].

许波涛 ;

唐景庭 ;

易文杰 .

中国专利 :CN2906920Y ,2007-05-30

[10]

一种用于晶片夹持的静电卡盘 [P].

彭立波 ;

郭健辉 ;

易文杰 ;

许波涛 .

中国专利 :CN2922118Y ,2007-07-11

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