一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010613147.3
申请日
2020-06-30
公开(公告)号
CN111725072B
公开(公告)日
2020-09-29
发明(设计)人
董鑫 焦腾 张源涛 张宝林 李赜明
申请人
申请人地址
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号
H01L21365
IPC分类号
H01L2924 H01L2978
代理机构
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人
刘世纯;王恩远
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜 [P]. 
岳建英 ;
李培刚 ;
李胜鹏 .
中国专利 :CN121046937A ,2025-12-02
[2]
一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P]. 
董鑫 ;
张源涛 ;
李赜明 ;
张宝林 ;
焦腾 ;
李万程 .
中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24
[3]
大面积高质量ε相氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
王振兴 ;
林映彤 ;
王峰 ;
詹雪莹 ;
江潮 .
中国专利 :CN118450792A ,2024-08-06
[4]
一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法 [P]. 
董鑫 ;
陈威 ;
焦腾 ;
张源涛 ;
张宝林 .
中国专利 :CN113097055B ,2021-07-09
[5]
一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法 [P]. 
叶建东 ;
龚义清 ;
郝景刚 ;
陈选虎 ;
任芳芳 ;
顾书林 .
中国专利 :CN110616456A ,2019-12-27
[6]
一种高质量GaN薄膜及其制备方法 [P]. 
贾伟 ;
樊腾 ;
李天保 ;
仝广运 ;
董海亮 ;
许并社 .
中国专利 :CN108538977B ,2018-09-14
[7]
一种高质量氧化镓异质厚膜及其制备方法 [P]. 
游天桂 ;
王业良 ;
徐文慧 ;
欧欣 ;
赵天成 .
中国专利 :CN121132921A ,2025-12-16
[8]
一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P]. 
王充 ;
侯杰 ;
张童 ;
张晓娜 .
中国专利 :CN118390159B ,2024-08-23
[9]
一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P]. 
王充 ;
侯杰 ;
张童 ;
张晓娜 .
中国专利 :CN118390159A ,2024-07-26
[10]
一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法 [P]. 
李晓茜 ;
周洋 ;
韩根全 .
中国专利 :CN118979303A ,2024-11-19