一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010613147.3

申请日：

2020-06-30

公开(公告)号：

CN111725072B

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

董鑫焦腾张源涛张宝林李赜明

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L21365

IPC分类号：

H01L2924 H01L2978

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	公开	公开
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/365 申请日:20200630
2022-12-30	授权	授权

共 50 条

[41]

用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法 [P].

袁洪涛 ;

杜小龙 ;

曾兆权 ;

薛其坤 ;

贾金锋 .

中国专利 :CN100545314C ,2006-06-21

[42]

一种高质量铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵春 ;

张津玮 ;

林永义 .

中国专利 :CN120417457A ,2025-08-01

[43]

一种基于HVPE设备生长高质量的氮化镓晶体及其制备方法 [P].

钟玉煌 ;

张海涛 ;

庞博 .

中国专利 :CN120758975A ,2025-10-10

[44]

具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN118854449A ,2024-10-29

[45]

具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN118854449B ,2025-01-14

[46]

一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

梅增霞 ;

梁会力 ;

梁爽 ;

刘章龙 ;

李俊强 ;

侯尧楠 ;

刘尧平 ;

崔秀芝 ;

张生利 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN101834127A ,2010-09-15

[47]

一种制备高质量ZnO材料的方法 [P].

朱顺明 ;

印杰 ;

顾书林 ;

叶建东 ;

汤琨 ;

黄时敏 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN103938183A ,2014-07-23

[48]

一种氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

王东 ;

黎伟正 ;

陈兴 ;

龚建彪 ;

常焕堉 ;

郭昂 .

中国专利 :CN118064832A ,2024-05-24

[49]

一种氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

汪金 ;

王瑞 ;

薛俊俊 ;

智婷 .

中国专利 :CN117904710A ,2024-04-19

[50]

一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P].

季枫 ;

王相虎 ;

施华 .

中国专利 :CN119351964A ,2025-01-24

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