一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010613147.3
申请日
2020-06-30
公开(公告)号
CN111725072B
公开(公告)日
2020-09-29
发明(设计)人
董鑫 焦腾 张源涛 张宝林 李赜明
申请人
申请人地址
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号
H01L21365
IPC分类号
H01L2924 H01L2978
代理机构
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人
刘世纯;王恩远
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法 [P]. 
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[22]
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[23]
一种氧化镓外延薄膜的制备方法 [P]. 
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[24]
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[27]
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秦志新 .
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[28]
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[29]
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许福军 ;
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[30]
一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用 [P]. 
许福军 ;
王嘉铭 ;
沈波 ;
郎婧 ;
康香宁 .
中国专利 :CN114875482B ,2024-11-22