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一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010613147.3
申请日
:
2020-06-30
公开(公告)号
:
CN111725072B
公开(公告)日
:
2020-09-29
发明(设计)人
:
董鑫
焦腾
张源涛
张宝林
李赜明
申请人
:
申请人地址
:
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号
:
H01L21365
IPC分类号
:
H01L2924
H01L2978
代理机构
:
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人
:
刘世纯;王恩远
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-29
公开
公开
2020-10-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/365 申请日:20200630
2022-12-30
授权
授权
共 50 条
[21]
一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
赵莉娟
;
杜宇超
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0
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0
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0
机构:
上海大学
上海大学
杜宇超
.
中国专利
:CN119265697A
,2025-01-07
[22]
一种高质量InN薄膜的获取方法
[P].
张日清
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张日清
;
康亭亭
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0
康亭亭
;
刘祥林
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0
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刘祥林
.
中国专利
:CN101051608A
,2007-10-10
[23]
一种氧化镓外延薄膜的制备方法
[P].
郭道友
论文数:
0
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郭道友
;
王顺利
论文数:
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0
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王顺利
;
吴超
论文数:
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引用数:
0
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0
吴超
.
中国专利
:CN110867368A
,2020-03-06
[24]
一种p型氧化镓薄膜及其制备方法
[P].
刘兴林
论文数:
0
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0
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机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
刘兴林
;
魏强民
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机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
魏强民
;
黄俊
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机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
黄俊
;
杨冰
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0
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0
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机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
杨冰
.
中国专利
:CN116884829B
,2025-10-21
[25]
一种氧化镓异质外延衬底及其制备方法
[P].
杨世凌
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨世凌
;
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机构:
张逸韵
;
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机构:
姚然
;
论文数:
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机构:
杨华
;
论文数:
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机构:
伊晓燕
;
论文数:
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机构:
王军喜
.
中国专利
:CN120199682A
,2025-06-24
[26]
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
[P].
许福军
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许福军
;
沈波
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沈波
;
解楠
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解楠
;
王明星
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王明星
;
孙元浩
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孙元浩
;
刘百银
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刘百银
;
秦志新
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0
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0
秦志新
.
中国专利
:CN108155090A
,2018-06-12
[27]
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
[P].
许福军
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许福军
;
沈波
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沈波
;
王明星
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王明星
;
王嘉铭
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王嘉铭
;
康香宁
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康香宁
;
秦志新
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0
秦志新
.
中国专利
:CN109994377A
,2019-07-09
[28]
一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法
[P].
董鑫
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董鑫
;
党新明
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党新明
;
焦腾
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焦腾
;
陈威
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陈威
;
张源涛
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0
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0
张源涛
.
中国专利
:CN114899106A
,2022-08-12
[29]
一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
[P].
许福军
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0
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许福军
;
王嘉铭
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王嘉铭
;
沈波
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沈波
;
郎婧
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郎婧
;
康香宁
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0
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康香宁
.
中国专利
:CN114875482A
,2022-08-09
[30]
一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
许福军
;
论文数:
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机构:
王嘉铭
;
论文数:
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机构:
沈波
;
论文数:
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机构:
郎婧
;
论文数:
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机构:
康香宁
.
中国专利
:CN114875482B
,2024-11-22
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