硅晶片和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180008182.1

申请日：

2011-02-02

公开(公告)号：

CN102741977A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

大见忠弘寺本章伸诹访智之

申请人：

申请人地址：

日本国宫城县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2906 C30B3302 H01L21324 H01L2978

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101661658412 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011800081821 申请公布日:20121017
2012-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

高木明英 ;

中村昌次 ;

西野光俊 ;

大竹保年 .

中国专利 :CN102947948B ,2013-02-27

[2]

晶片和半导体装置 [P].

吉田学史 ;

金子龙马 ;

名古肇 ;

彦坂年辉 .

日本专利 :CN119008665A ,2024-11-22

[3]

半导体晶片和半导体晶片检查方法 [P].

柴田馨 ;

冈林真志 ;

本津泰弘 ;

入仓正登 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN101578699A ,2009-11-11

[4]

半导体装置制造方法和半导体晶片 [P].

太田祐一 ;

喜多贤太郎 ;

大浦雄大 ;

吉田宏平 .

中国专利 :CN106920769A ,2017-07-04

[5]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

须藤治生 .

中国专利 :CN115135818A ,2022-09-30

[6]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135817A ,2022-09-30

[7]

半导体装置、半导体晶片和其制造方法 [P].

刘家颖 ;

杨武璋 ;

刘嘉蓉 ;

黄吉志 .

中国专利 :CN112309992A ,2021-02-02

[8]

生产单晶硅半导体晶片的方法、生产单晶硅半导体晶片的设备和单晶硅半导体晶片 [P].

W·霍维泽尔 ;

D·克耐尔 ;

W·沙兴格 ;

大久保正道 .

中国专利 :CN109154101B ,2019-01-04

[9]

半导体晶片及半导体装置 [P].

楠木淳也 ;

平野孝 .

中国专利 :CN101044617A ,2007-09-26

[10]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135816A ,2022-09-30

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